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Technische Details SI2324DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote SI2324DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.24 EUR bis 0.84 EUR
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V |
auf Bestellung 39000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 100V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 181212 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V |
auf Bestellung 39406 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 3275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 775 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI2324DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI2324DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
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