SI2324DS-T1-GE3

SI2324DS-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2324DS-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 50V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI2324DS-T1-GE3 ab 0.31 EUR bis 1.66 EUR

SI2324DS-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23
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SI2324DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI2324DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: VISHAY
Material: SI2324DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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SI2324DS-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 50V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
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