SI2324DS-T1-GE3
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Technische Details SI2324DS-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 50V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SI2324DS-T1-GE3 ab 0.31 EUR bis 1.66 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 100V Vds 20V Vgs SOT-23 
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SI2324DS-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI2324DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2324DS-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI2324DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI2324DS-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 100V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 50V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 1196 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 50 V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.9V @ 250µA
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