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SI2325DS-T1-GE3

SI2325DS-T1-GE3 Vishay


73238.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2325DS-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 530mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 750mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 750mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix 73238.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
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SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
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250+ 0.81 EUR
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SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors 73238.pdf MOSFET -150V Vds 20V Vgs SOT-23
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SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix 73238.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
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1000+ 1.02 EUR
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SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 73238.pdf Description: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 73238.pdf Description: VISHAY - SI2325DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 530 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 530mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 750mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 750mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
auf Bestellung 1349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay 73238.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 0.53A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI2325DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.43A; 0.48W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.48W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY SI2325DS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -0.43A; 0.48W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Power dissipation: 0.48W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 7.7nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -0.43A
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
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