SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

SI2333DS-T1-GE3

Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI2333DS-T1-GE3 - P CH MOSFET
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 4.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 750
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: P Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)

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Technische Details SI2333DS-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 6V, Power Dissipation (Max): 750mW (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3.

Preis SI2333DS-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI2333DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2333DS-T1-GE3
SI2333DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 12V 5.3A 1.25W 32mohm @ 4.5V
VISH_S_A0010924768_1-2571294.pdf
auf Bestellung 1944 Stücke
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SI2333DS-T1-GE3
SI2333DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 6V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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auf Bestellung 3266 Stücke
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SI2333DS-T1-GE3
SI2333DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
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SI2333DS-T1-GE3
SI2333DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 6 V
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