SI2334DS-T1-GE3

SI2334DS-T1-GE3

Hersteller:
SI2334DS MOSFET N-CH 30V SOT-23
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Technische Details SI2334DS-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23, FET Type: N-Channel, Part Status: Obsolete, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 15V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide).

Preis SI2334DS-T1-GE3 ab 1.59 EUR bis 1.59 EUR

SI2334DS-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI2334DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI2334DS-T1-GE3
Hersteller:
SI2334DS MOSFET N-CH 30V SOT-23
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Hersteller: VISHAY
Material: SI2334DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI2334DS-T1-GE3
SI2334DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 4.9A 1.7W
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SI2334DS-T1-GE3
SI2334DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 15V
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI2334DS-T1-GE3
SI2334DS-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 15V
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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SI2334DS-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 15V
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
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