SI2334DS-T1-GE3
SI2334DS-T1-GE3
Hersteller:SI2334DS MOSFET N-CH 30V SOT-23
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Technische Details SI2334DS-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23, FET Type: N-Channel, Part Status: Obsolete, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 15V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Preis SI2334DS-T1-GE3 ab 1.59 EUR bis 1.59 EUR
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SI2334DS-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI2334DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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SI2334DS-T1-GE3 Hersteller: SI2334DS MOSFET N-CH 30V SOT-23
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SI2334DS-T1-GE3 Hersteller: VISHAY Material: SI2334DS-T1-GE3 SMD N channel transistors
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 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET 30V 4.9A 1.7W
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auf Bestellung 8532 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 15V Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Obsolete Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 FET Type: N-Channel Part Status: Obsolete Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 15V Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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auf Bestellung 1239 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT-23 Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634pF @ 15V Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Part Status: Obsolete Packaging: Cut Tape (CT)
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auf Bestellung 1239 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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