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Technische Details SI2336DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm.
Weitere Produktangebote SI2336DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.1A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.1A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 52mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 8V Vgs SOT-23 |
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SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm |
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SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2336DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.2 A, 0.034 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 1.8 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2336DS-T1-GE3 Produktcode: 165959 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
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SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2336DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A SOT23-3 |
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