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Technische Details SI2347DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2347DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI2347DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.094 EUR bis 0.99 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI2347DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2347DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2347DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V |
auf Bestellung 221000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI2347DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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SI2347DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -5A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1615 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2347DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 395011 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI2347DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V |
auf Bestellung 221839 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI2347DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 52 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2347DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2347DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 5 A, 0.033 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 5466 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2347DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 138 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2347DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |