auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.16 EUR |
| 6000+ | 0.14 EUR |
| 12000+ | 0.12 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details SI2356DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI2356DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2356DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 4.3A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 20A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 5968 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 4.3A; Idm: 20A Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 4.3A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 20A |
auf Bestellung 5968 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2356DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V |
auf Bestellung 1880 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2356DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 12V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 225783 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
SI2356DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2356DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 4.3 A, 0.042 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
SI2356DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
SI2356DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 4.3A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V |
Produkt ist nicht verfügbar |