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Technische Details SI2366DS-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI2366DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.8, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.1, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.1, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote SI2366DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.15 EUR bis 1.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI2366DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2366DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2366DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2366DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SOT-23 |
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SI2366DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2366DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.1 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 euEccn: NLR Verlustleistung: 2.1 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.03 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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SI2366DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2366DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.8 A, 0.03 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 2.1 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 30 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2366DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2366DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI2366DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI2366DS-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2366DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2366DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3 |
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