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SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3 Vishay


si2374ds.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details SI2374DS-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V.

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SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2374ds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay si2374ds.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 5.9A 3-Pin SOT-23 T/R
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SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2374ds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735 pF @ 10 V
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SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2374ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si2374ds.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.7A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.7A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
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On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.7nC
Kind of package: reel; tape
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SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si2374ds.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A/5.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
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SI2374DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si2374ds.pdf MOSFET 20V Vds 8V Vgs SOT-23
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