SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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Technische Details SI2392ADS-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 3.1A, On-state resistance: 126mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.6W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 10.4nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 8A, Case: SOT23, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SI2392ADS-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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SI2392ADS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.1A On-state resistance: 126mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 8A Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI2392ADS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2392ADS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3 |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI2392ADS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3 |
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SI2392ADS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3.1A; Idm: 8A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.1A On-state resistance: 126mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.4nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 8A Case: SOT23 |
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