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Technische Details SI2399DS-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V.
Weitere Produktangebote SI2399DS-T1-GE3 nach Preis ab 0.18 EUR bis 1.19 EUR
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Verfügbarkeit |
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SI2399DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2399DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V |
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SI2399DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2292 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2399DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2292 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2399DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 835 pF @ 10 V |
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SI2399DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SOT-23 |
auf Bestellung 69388 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI2399DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.028 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
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SI2399DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI2399DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.028 ohm, TO-236, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Anzahl der Pins: 3Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm |
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SI2399DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI2399DS-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R |
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SI2399DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 34mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI2399DS-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -20A; 1.6W; SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A On-state resistance: 34mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -20A Case: SOT23 |
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