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Technische Details SI3424CDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm.
Weitere Produktangebote SI3424CDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.25 EUR
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V |
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSOP-6 |
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 405 pF @ 15 V |
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3424CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm |
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 2.3W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.3W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI3424CDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 20A; 2.3W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 2.3W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 12.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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