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SI3437DV-T1-E3

SI3437DV-T1-E3 Vishay Siliconix


si3437dv.pdf Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
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Technische Details SI3437DV-T1-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V.

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SI3437DV-T1-E3 SI3437DV-T1-E3 Hersteller : Vishay si3437dv.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
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SI3437DV-T1-E3 SI3437DV-T1-E3 Hersteller : Vishay si3437dv.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
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SI3437DV-T1-E3 SI3437DV-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si3437dv.pdf MOSFET -150V Vds 20V Vgs TSOP-6
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SI3437DV-T1-E3 SI3437DV-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si3437dv.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
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Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
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SI3437DV-T1-E3 SI3437DV-T1-E3 Hersteller : Vishay si3437dv.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
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SI3437DV-T1-E3 SI3437DV-T1-E3 Hersteller : Vishay si3437dv.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1.1A 6-Pin TSOP T/R
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SI3437DV-T1-E3 Hersteller : VISHAY si3437dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -1.4A; Idm: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -5A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.79Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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SI3437DV-T1-E3 Hersteller : VISHAY si3437dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -1.4A; Idm: -5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -1.4A
Pulsed drain current: -5A
Power dissipation: 3.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.79Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
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