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Technische Details SI3443DDV-T1-GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V.
Weitere Produktangebote SI3443DDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.11 EUR bis 0.67 EUR
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SI3443DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3443DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V |
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SI3443DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFETs -20V Vds 12V Vgs TSOP-6 |
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SI3443DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4A/5.3A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970 pF @ 10 V |
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SI3443DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3443DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.039 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: To Be Advised |
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SI3443DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3443DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.039 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.7W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm SVHC: To Be Advised |
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SI3443DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3443DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3443DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 4A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3443DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.7W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI3443DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; 1.7W; TSOP6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A Power dissipation: 1.7W Case: TSOP6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 47mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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