SI3445DV-T1-E3

SI3445DV-T1-E3
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Power - Max: 2W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V

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Technische Details SI3445DV-T1-E3
Description: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP, Supplier Device Package: 6-TSOP, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8V, FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide, Power - Max: 2W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V.
Preis SI3445DV-T1-E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
SI3445DV-T1-E3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP Supplier Device Package: 6-TSOP Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8V FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2W ![]() |
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SI3445DV-T1-E3 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 8V 6-TSOP Supplier Device Package: 6-TSOP Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V Drain to Source Voltage (Vdss): 8V FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide ![]() |
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