SI3473CDV-T1-GE3

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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 4.2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 400
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

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Technische Details SI3473CDV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP, Supplier Device Package: 6-TSOP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 6V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI3473CDV-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 4.2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 4.2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
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auf Bestellung 16154 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Supplier Device Package: 6-TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 6V
Vgs (Max): ±8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 26582 Stücke
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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