SI3473CDV-T1-GE3
SI3473CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAYDescription: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
Verlustleistung Pd: 4.2
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 400
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Technische Details SI3473CDV-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP, Supplier Device Package: 6-TSOP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 6V, Vgs (Max): ±8V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 8V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 12V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SI3473CDV-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI3473CDV-T1-GE3 Hersteller:
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33000 Stücke |
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Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 4.2 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 4.2 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.016 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
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auf Bestellung 16154 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP Supplier Device Package: 6-TSOP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010pF @ 6V Vgs (Max): ±8V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 26582 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±8V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT)
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auf Bestellung 25 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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