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SI3473CDV-T1-GE3

SI3473CDV-T1-GE3 Vishay

si3473cd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details SI3473CDV-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
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SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si3473cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
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3000+0.46 EUR
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SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
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SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2940 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
66+1.09 EUR
86+0.84 EUR
210+0.34 EUR
222+0.32 EUR
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 66
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SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3473cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -12V; -8A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -8A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 4.2W
Case: TSOP6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si3473cd.pdf MOSFETs -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
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10+1 EUR
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SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si3473cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
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10+1.83 EUR
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Mindestbestellmenge: 10
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SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2245724.pdf Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 57169 Stücke:
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SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2245724.pdf Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001121693-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3473CDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.016 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 400mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3473cd.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
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SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
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