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SI3473DDV-T1-GE3

SI3473DDV-T1-GE3 Vishay / Siliconix


si3473ddv.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET -12V Vds 8V Vgs TSOP-6
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Technische Details SI3473DDV-T1-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm.

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SI3473DDV-T1-GE3 SI3473DDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si3473ddv.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP
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SI3473DDV-T1-GE3 SI3473DDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2687466.pdf Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm
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SI3473DDV-T1-GE3 SI3473DDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2687466.pdf Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
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SI3473DDV-T1-GE3 SI3473DDV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3473ddv.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
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SI3473DDV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3473ddv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
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