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Technische Details SI3473DDV-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.6W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm.
Weitere Produktangebote SI3473DDV-T1-GE3
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3473DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0145 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0145ohm |
auf Bestellung 5785 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay | Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET Type of transistor: P-MOSFET Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 8A 6TSOP |
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SI3473DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET Type of transistor: P-MOSFET |
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