SI3477DV-T1-GE3
SI3477DV-T1-GE3
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 6 V
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Technische Details SI3477DV-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Vgs (Max): ±10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 6 V.
Preis SI3477DV-T1-GE3 ab 1.03 EUR bis 1.93 EUR
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET -12V Vds 10V Vgs TSOP-6
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 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI3477DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 4.2 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI3477DV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 8 A, 0.014 ohm, TSOP, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12 Dauer-Drainstrom Id: 8 Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 4.2 Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: TrenchFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.014 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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SI3477DV-T1-GE3 Hersteller: SI3477DV-T1 MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
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SI3477DV-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
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SI3477DV-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 12V 8A 6-Pin TSOP T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Part Status: Active Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 9A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 6 V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP FET Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide Drain to Source Voltage (Vdss): 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 9A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600pF @ 6V Power - Max: 4.2W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Supplier Device Package: 6-TSOP
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