Produkte > VISHAY / SILICONIX > SI3483CDV-T1-E3
SI3483CDV-T1-E3

SI3483CDV-T1-E3 Vishay / Siliconix


si3483cd.pdf Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
auf Bestellung 17061 Stücke:

Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+2.35 EUR
28+ 1.91 EUR
100+ 1.49 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 1.03 EUR
3000+ 0.93 EUR
6000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 23
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI3483CDV-T1-E3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.027 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm.

Weitere Produktangebote SI3483CDV-T1-E3

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SI3483CDV-T1-E3 SI3483CDV-T1-E3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001108952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.027 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 4176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI3483CDV-T1-E3 SI3483CDV-T1-E3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0001108952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI3483CDV-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.027 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
auf Bestellung 4176 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI3483CDV-T1-E3 si3483cd.pdf
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI3483CDV-T1-E3 Hersteller : VISHAY si3483cd.pdf SI3483CDV-T1-E3 SMD P channel transistors
Produkt ist nicht verfügbar
SI3483CDV-T1-E3 SI3483CDV-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si3483cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar
SI3483CDV-T1-E3 SI3483CDV-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si3483cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Produkt ist nicht verfügbar