SI3483CDV-T1-GE3

SI3483CDV-T1-GE3

SI3483CDV-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
si3483cd.pdf
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen

Technische Details SI3483CDV-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Base Part Number: SI3483, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Supplier Device Package: 6-TSOP, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V, Vgs (Max): ±20V.

Preis SI3483CDV-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI3483CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
si3483cd.pdf si3483cd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI3483CDV-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Material: SI3483CDV-T1-GE3 SMD P channel transistors
si3483cd.pdf si3483cd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI3483CDV-T1-GE3
SI3483CDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6
si3483cd-1764811.pdf
auf Bestellung 4108 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SI3483CDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
si3483cd.pdf si3483cd.pdf
auf Bestellung 33 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI3483CDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 6-Pin TSOP T/R
si3483cd.pdf si3483cd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI3483CDV-T1-GE3
SI3483CDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
si3483cd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI3483CDV-T1-GE3
SI3483CDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
si3483cd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI3483CDV-T1-GE3
SI3483CDV-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6.1A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Base Part Number: SI3483
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Supplier Device Package: 6-TSOP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
si3483cd.pdf
auf Bestellung 340140 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)