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Technische Details SI3483DDV-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: TSOP, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm.
Weitere Produktangebote SI3483DDV-T1-GE3 nach Preis ab 0.26 EUR bis 1.28 EUR
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SI3483DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3483DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R |
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SI3483DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI3483DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 6.4A/8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta), 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.2mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +16V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V |
auf Bestellung 11750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI3483DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET |
auf Bestellung 96034 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI3483DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm |
auf Bestellung 14432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3483DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI3483DDV-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.026 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TSOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.026ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm |
auf Bestellung 14432 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI3483DDV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 30V 6.4A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI3483DDV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI3483DDV-T1-GE3 SMD P channel transistors |
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