Produkte > VISHAY > SI3499DV-T1-GE3
SI3499DV-T1-GE3

SI3499DV-T1-GE3 Vishay


si3499dv.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2444 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
240+0.65 EUR
245+ 0.61 EUR
500+ 0.58 EUR
1000+ 0.55 EUR
2000+ 0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 240
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI3499DV-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±5V, Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V.

Weitere Produktangebote SI3499DV-T1-GE3 nach Preis ab 0.45 EUR bis 2.35 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3499dv.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
198+0.78 EUR
199+ 0.75 EUR
200+ 0.72 EUR
227+ 0.61 EUR
250+ 0.58 EUR
500+ 0.51 EUR
1000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 198
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay si3499dv.pdf Trans MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 2496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
180+0.86 EUR
198+ 0.75 EUR
199+ 0.72 EUR
200+ 0.69 EUR
227+ 0.58 EUR
250+ 0.56 EUR
500+ 0.49 EUR
1000+ 0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 180
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si3499dv.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si3499dv.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 750mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
auf Bestellung 6899 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
12+2.34 EUR
14+ 1.9 EUR
100+ 1.48 EUR
500+ 1.25 EUR
1000+ 1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 12
SI3499DV-T1-GE3 SI3499DV-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si3499dv.pdf MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
auf Bestellung 8980 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
23+2.35 EUR
28+ 1.88 EUR
100+ 1.47 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 1.02 EUR
3000+ 0.96 EUR
6000+ 0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 23
SI3499DV-T1-GE3 si3499dv.pdf
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI3499DV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3499dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -7A; Idm: -20A; 2W
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -7A
On-state resistance: 48mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI3499DV-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si3499dv.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -8V; -7A; Idm: -20A; 2W
Mounting: SMD
Case: TSOP6
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: -20A
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -7A
On-state resistance: 48mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Produkt ist nicht verfügbar