Si3900DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 24+ | 2.25 EUR |
| 29+ | 1.85 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.22 EUR |
| 1000+ | 0.99 EUR |
| 3000+ | 0.95 EUR |
| 6000+ | 0.92 EUR |
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Technische Details Si3900DV-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 2.4A, On-state resistance: 0.2Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 1.15W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 4nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±12V, Pulsed drain current: 8A, Mounting: SMD, Case: TSOP6, Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke.
Weitere Produktangebote Si3900DV-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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Si3900DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
auf Bestellung 5324 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Si3900DV-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| Si3900DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.15W Polarisation: unipolar Gate charge: 4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 8A Mounting: SMD Case: TSOP6 Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| Si3900DV-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 2.4A; Idm: 8A Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.15W Polarisation: unipolar Gate charge: 4nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 8A Mounting: SMD Case: TSOP6 |
Produkt ist nicht verfügbar |