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Technische Details SI4062DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8, Case: SO8, Mounting: SMD, On-state resistance: 4.2mΩ, Kind of package: reel; tape, Power dissipation: 5W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 18.8nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 25.7A, Type of transistor: N-MOSFET, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
Weitere Produktangebote SI4062DY-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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SI4062DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 4.2mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 25.7A Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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SI4062DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO |
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SI4062DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO |
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SI4062DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25.7A; 5W; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD On-state resistance: 4.2mΩ Kind of package: reel; tape Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 18.8nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Drain current: 25.7A Type of transistor: N-MOSFET |
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