Technische Details SI4154DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4154DY-T1-GE3
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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SI4154DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
 Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4154DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4154DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 36A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4154DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4154DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 36 A, 0.0027 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4154DY-T1-GE3 Produktcode: 184243 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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| SI4154DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI4154DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4154DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4154DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 36A 8SO |
Produkt ist nicht verfügbar |