SI4202DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
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Technische Details SI4202DY-T1-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 12.1, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 3.7, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 1, SVHC: No SVHC (15-Jun-2015).
Weitere Produktangebote SI4202DY-T1-GE3 nach Preis ab 1.44 EUR bis 3.82 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 7807 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 12.1A 8SO |
auf Bestellung 4750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4202DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 12.1 A, 0.0115 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 12.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.7 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0115 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1 SVHC: No SVHC (15-Jun-2015) |
auf Bestellung 1003 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 12.1A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| SI4202DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
SI4202DY-T1-GE3 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |