SI4336DY-T1-E3

SI4336DYT1E3

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Technische Details SI4336DYT1E3

Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 15V, Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 25A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Obsolete, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width).

Preis SI4336DYT1E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

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Hersteller: VISHAY
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Hersteller: Vishay / Siliconix
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 25A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 25A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600pF @ 15V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 25A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Obsolete
Packaging: Tape & Reel (TR)
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