SI4386DY-T1-E3
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Technische Details SI4386DY-T1-E3
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, Manufacturer: Vishay Siliconix, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Base Part Number: SI4386.
Preis SI4386DY-T1-E3 ab 0.87 EUR bis 1.21 EUR
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SI4386DY-T1-E3 Hersteller: VISHAY 
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32500 Stücke |
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4386DY-T1-E3 Hersteller:
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1993 Stücke |
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SI4386DYT1E3 Hersteller: VISHAY |
32500 Stücke |
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
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SI4386DY-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Manufacturer: Vishay Siliconix Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 8-SOIC Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Base Part Number: SI4386
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auf Bestellung 2812 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO Manufacturer: Vishay Siliconix Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V Vgs (Max): ±20V Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 8-SOIC Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Base Part Number: SI4386
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