SI4386DY-T1-E3

SI4386DY-T1-E3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4386DY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, Manufacturer: Vishay Siliconix, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±20V, Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Base Part Number: SI4386.

Preis SI4386DY-T1-E3 ab 0.87 EUR bis 1.21 EUR

SI4386DY-T1-E3
Hersteller: VISHAY

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: VISHAY

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 16A 3.1W 7.0mohm @ 10V
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4386DY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Manufacturer: Vishay Siliconix
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Part Number: SI4386
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Manufacturer: Vishay Siliconix
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Power Dissipation (Max): 1.47W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Base Part Number: SI4386
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