SI4410BDY-T1-GE3
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2084 Stücke
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Technische Details SI4410BDY-T1-GE3
Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V.
Preis SI4410BDY-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI4410BDY-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
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 Hersteller: Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC Supplier Device Package: 8-SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.4W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
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