SI4410BDY-T1-GE3

SI4410BDY-T1-GE3

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Technische Details SI4410BDY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V.

Preis SI4410BDY-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI4410BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4410BDY-T1-GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4410BDY-T1-GE3
SI4410BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4134DY-T1-GE3
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SI4410BDY-T1-GE3
SI4410BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: MOSFET N-Channel, Metal Oxide
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SI4410BDY-T1-GE3
SI4410BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
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SI4410BDY-T1-GE3
SI4410BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
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