SI4420BDY-T1-E3

SI4420BDY-T1-E3

SI4420BDY-T1-E3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 13.5A 0.0085Ohm
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Technische Details SI4420BDY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Vgs (Max): ±20V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI4420BDY-T1-E3 ab 2.05 EUR bis 3.56 EUR

SI4420BDYT1E3
Hersteller:

2100 Stücke
SI4420BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
09+ QFN
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2500 Stücke
SI4420BDYT1E3
Hersteller: VISHAY

2100 Stücke
SI4420BDY-T1-E3
Hersteller:

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5080 Stücke
SI4420BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
09+
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2518 Stücke
SI4420BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4420BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4420BDY-T1-E3
SI4420BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SI4420BDY-T1-E3
SI4420BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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SI4420BDY-T1-E3
SI4420BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
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