SI4427BDY-T1-GE3
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Technische Details SI4427BDY-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Discontinued at Digi-Key, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width).
Preis SI4427BDY-T1-GE3 ab 1 EUR bis 2.73 EUR
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SI4427BDY-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R 
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 30V 12.6A 2.5W 12.5mohm @ 4.5V
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Discontinued at Digi-Key FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 8-SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Part Status: Discontinued at Digi-Key FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 8-SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: 8-SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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