SI4427BDY-T1-GE3

SI4427BDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
si4427bd.pdf
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 2500 Stücke
Lieferzeit 14-21 Tag (e)

60+ 2.73 EUR
67+ 2.35 EUR
72+ 2.11 EUR
100+ 1.69 EUR
250+ 1.61 EUR
500+ 1.26 EUR
1000+ 1 EUR

Technische Details SI4427BDY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Part Status: Discontinued at Digi-Key, FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width).

Preis SI4427BDY-T1-GE3 ab 1 EUR bis 2.73 EUR

SI4427BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 9.7A 8-Pin SOIC N T/R
si4427bd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI4427BDY-T1-GE3
SI4427BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 12.6A 2.5W 12.5mohm @ 4.5V
VISH_S_A0002473668_1-2568188.pdf
auf Bestellung 2300 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
SI4427BDY-T1-GE3
SI4427BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
si4427bd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI4427BDY-T1-GE3
SI4427BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
si4427bd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI4427BDY-T1-GE3
SI4427BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 12.6A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
si4427bd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen