SI4463BDY-T1-GE3

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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V
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Technische Details SI4463BDY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Base Part Number: SI4463, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs (Max): ±12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V.

Preis SI4463BDY-T1-GE3 ab 3.48 EUR bis 4.78 EUR

SI4463BDY-T1-GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.8A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4463BDY-T1-GE3
SI4463BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Base Part Number: SI4463
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
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SI4463BDY-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
Mounting Type: Surface Mount
FET Type: P-Channel
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
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SI4463BDY-T1-GE3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 13.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
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