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SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3 Vishay


si4463cd.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4463CDY-T1-GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V.

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SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4463cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4463cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
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SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4463cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
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SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4463cd.pdf MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
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SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
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SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 18.6A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
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SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4463cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4463CDY-T1-GE3 Hersteller : Siliconix si4463cd.pdf P-MOSFET 2.5V SI4463CDY-T1-GE3 TSI4463cdy
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SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4463cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4463CDY-T1-GE3 SI4463CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4463cd.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4463CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4463CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4463cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18.6A; Idm: -60A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -18.6A
Pulsed drain current: -60A
Power dissipation: 5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 162nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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