SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3

SI4463CDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8
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Technische Details SI4463CDY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CHAN 2.5V SO8, Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250pF @ 15V, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc), Vgs (Max): ±12V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Base Part Number: SI4463, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width).

Preis SI4463CDY-T1-GE3 ab 1.47 EUR bis 2.55 EUR

SI4463CDY-T1-GE3
SI4463CDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 18.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
VISH-S-A0002474570-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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SI4463CDY-T1-GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4463CDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 18.6 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 18.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 5
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 600
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
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Trans MOSFET P-CH 20V 18.6A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4463CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHAN 2.5V SO8
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250pF @ 15V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Vgs (Max): ±12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Base Part Number: SI4463
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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SI4463CDY-T1-GE3
SI4463CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
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SI4463CDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 13.6A/49A 8SO
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.6A (Ta), 49A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
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