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SI4464DY-T1-E3

SI4464DY-T1-E3 Vishay


si4464dy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4464DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V.

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SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4464dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
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SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Hersteller : Vishay 72051.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4464DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4464dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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SI4464DY-T1-E3 SI4464DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4464dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
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Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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SI4464DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4464dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
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