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SI4464DY-T1-GE3

SI4464DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors

si4464dy.pdf Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8
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Technische Details SI4464DY-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm.

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SI4464DY-T1-GE3 SI4464DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002473522-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Produktpalette: TrenchFET
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
auf Bestellung 4882 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4464DY-T1-GE3 SI4464DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002473522-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4464DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.7 A, 0.195 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Produktpalette: TrenchFET
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
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SI4464DY-T1-GE3 SI4464DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4464dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4464DY-T1-GE3 SI4464DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay 72051.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI4464DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4464dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4464DY-T1-GE3 SI4464DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4464dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Produkt ist nicht verfügbar
SI4464DY-T1-GE3 SI4464DY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4464dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
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SI4464DY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4464dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 2.2A; Idm: 8A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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