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Technische Details SI4477DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4477DY-T1-GE3 nach Preis ab 1.37 EUR bis 3.33 EUR
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SI4477DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V |
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SI4477DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 18A, 4.5V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 10 V |
auf Bestellung 3271 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4477DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
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SI4477DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -20V Vds 12V Vgs SO-8 |
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SI4477DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4477DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 26.6 A, 0.0051 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0051ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 1820 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4477DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4477DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 26.6A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4477DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26.6A; Idm: -60A; 4.2W; SO8 Mounting: SMD Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 4.2W Gate charge: 0.19µC Polarisation: unipolar Drain current: -26.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SO8 On-state resistance: 6.2mΩ Gate-source voltage: ±12V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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SI4477DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -26.6A; Idm: -60A; 4.2W; SO8 Mounting: SMD Pulsed drain current: -60A Power dissipation: 4.2W Gate charge: 0.19µC Polarisation: unipolar Drain current: -26.6A Kind of channel: enhanced Drain-source voltage: -20V Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Case: SO8 On-state resistance: 6.2mΩ Gate-source voltage: ±12V |
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