Produkte > VISHAY > SI4490DY-T1-E3
SI4490DY-T1-E3

SI4490DY-T1-E3 Vishay


si4490dy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI4490DY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Supplier Device Package: 8-SOIC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V.

Weitere Produktangebote SI4490DY-T1-E3 nach Preis ab 1.46 EUR bis 5.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4490dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+1.46 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4490dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+1.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4490dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+2.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Siliconix si4490dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.85A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.85A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
auf Bestellung 3553 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
6+5.04 EUR
10+ 4.18 EUR
100+ 3.32 EUR
500+ 2.81 EUR
1000+ 2.39 EUR
Mindestbestellmenge: 6
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4490dy.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4490DY-TR
auf Bestellung 12902 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+5.12 EUR
13+ 4.26 EUR
100+ 3.38 EUR
250+ 3.28 EUR
500+ 2.89 EUR
1000+ 2.44 EUR
2500+ 2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 11
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Hersteller : Vishay 71341.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4490DYT1E3 Hersteller : VISHAY
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI4490DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4490dy.pdf 06+ ZIP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI4490DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4490dy.pdf 07+ SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI4490DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4490dy.pdf 1018+ SOP8
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI4490DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4490dy.pdf SO-8
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI4490DY-T1-E3 SI4490DY-T1-E3 Hersteller : Vishay si4490dy.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 2.85A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI4490DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4490dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 4A; Idm: 40A; 3.1W
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4A
On-state resistance: 90mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI4490DY-T1-E3 Hersteller : VISHAY si4490dy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 4A; Idm: 40A; 3.1W
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 42nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 4A
On-state resistance: 90mΩ
Produkt ist nicht verfügbar