SI4532CDY-T1-GE3


si4532cd.pdf
Produktcode: 201070
Hersteller:
Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 1

erwartet 7 Stück:

7 Stück - erwartet
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote SI4532CDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.57 EUR bis 1.6 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4532cd.pdf MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR
auf Bestellung 33506 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
33+1.6 EUR
37+ 1.41 EUR
100+ 0.96 EUR
500+ 0.81 EUR
1000+ 0.68 EUR
2500+ 0.6 EUR
5000+ 0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 33
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 21972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474123-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 21972 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2049559.pdf Description: VISHAY - SI4532CDY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.038 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.038ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4532cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4532cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4532cd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4.9A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4532cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4532cd.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.78W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A, 4.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 305pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Produkt ist nicht verfügbar
SI4532CDY-T1-GE3 SI4532CDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4532cd.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30/-30V; 4.9/-3.4A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4.9/-3.4A
Power dissipation: 1.78W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 47/89mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9/12nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Produkt ist nicht verfügbar