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Technische Details SI4554DY-T1-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SI4554DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4554DY-T1-GE3 nach Preis ab 0.33 EUR bis 1.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI4554DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/6.6A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4554DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
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SI4554DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/6.6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4554DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/6.6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4554DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.2W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC |
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SI4554DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR |
auf Bestellung 8451 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4554DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4554DY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 8 A, 8 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
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SI4554DY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 40V 6.8A/6.6A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4554DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40/40V; -8/8A; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40/40V Drain current: -8/8A Pulsed drain current: -40...40A Power dissipation: 3.2/3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34/27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63/20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| SI4554DY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40/40V; -8/8A; SO8 Type of transistor: N/P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40/40V Drain current: -8/8A Pulsed drain current: -40...40A Power dissipation: 3.2/3.1W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 34/27mΩ Mounting: SMD Gate charge: 63/20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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