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Technische Details SI4559ADY-T1-E3 Vishay
Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 8Pins, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote SI4559ADY-T1-E3 nach Preis ab 0.74 EUR bis 3.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI4559ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 37500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Si4559ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 77500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1858 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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Si4559ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.1W, 3.4W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
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Si4559ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR |
auf Bestellung 16723 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4559ADY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4559ADY-T1-E3 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.046 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pins Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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SI4559ADY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.3A/3A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4559ADYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| Si4559ADY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 3.4/3.1W Polarisation: unipolar On-state resistance: 150/72mΩ Gate charge: 22/20nC Drain current: 4.3/-3.2A Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60/-60V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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| Si4559ADY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60/-60V; 4.3/-3.2A Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: TrenchFET® Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 3.4/3.1W Polarisation: unipolar On-state resistance: 150/72mΩ Gate charge: 22/20nC Drain current: 4.3/-3.2A Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60/-60V |
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