SI4816DY-T1-E3

SI4816DYT1E3

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Technische Details SI4816DYT1E3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1W, 1.25W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 7.7A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge), Part Status: Obsolete, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO.

Preis SI4816DYT1E3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI4816DY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
SO-8
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30000 Stücke
SI4816DY-T1-E3
SI4816DY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A/7.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4816DY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
09+
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3028 Stücke
SI4816DY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
0914+ SOP-8
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400 Stücke
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Hersteller: VISHAY
07+ SO-8
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30000 Stücke
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8980 Stücke
SI4816DYT1E3
Hersteller: VISHAY

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SI4816DY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A/7.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4816DY-T1-E3
SI4816DY-T1-E3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 7.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Power - Max: 1W, 1.25W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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SI4816DY-T1-E3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1W, 1.25W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 7.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Part Status: Obsolete
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
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SI4816DY-T1-E3
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 7.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge)
Power - Max: 1W, 1.25W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
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