SI4816DY-T1-E3
SI4816DYT1E3
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8900 Stücke
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Technische Details SI4816DYT1E3
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 1W, 1.25W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 7.7A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge), Part Status: Obsolete, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO.
Preis SI4816DYT1E3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI4816DY-T1-E3 Hersteller: VISHAY SO-8 
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30000 Stücke |
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A/7.7A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4816DY-T1-E3 Hersteller: VISHAY 09+
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3028 Stücke |
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SI4816DY-T1-E3 Hersteller: VISHAY 0914+ SOP-8
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400 Stücke |
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SI4816DY-T1-E3 Hersteller: VISHAY 07+ SO-8
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30000 Stücke |
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SI4816DY-T1-E3 Hersteller:
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8980 Stücke |
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SI4816DYT1E3 Hersteller: VISHAY |
8900 Stücke |
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SI4816DY-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 5.3A/7.7A 8-Pin SOIC N T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 7.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge) Power - Max: 1W, 1.25W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Packaging: Tape & Reel (TR)
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1W, 1.25W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 7.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Feature: Logic Level Gate FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge) Part Status: Obsolete Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SO
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 7.7A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Type: 2 N-Channel (Half Bridge) Power - Max: 1W, 1.25W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate
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