SI4825DDY-T1-GE3
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 108 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
auf Bestellung 108 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Technische Details SI4825DDY-T1-GE3
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SOIC, Base Part Number: SI4825, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V, Vgs (Max): ±25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).
Preis SI4825DDY-T1-GE3 ab 1.47 EUR bis 2.55 EUR
|
SI4825DDY-T1-GE3 Hersteller: 
|
5000 Stücke |
|
|
 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI4825DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.9 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 14.9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.7 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.4 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - SI4825DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.9 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30 Dauer-Drainstrom Id: 14.9 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.7 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 1.4 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-Pin SOIC N T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
SI4825DDY-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-Pin SOIC N T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
SI4825DDY-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-Pin SOIC N T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SOIC Base Part Number: SI4825 Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Supplier Device Package: 8-SO Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V Vgs (Max): ±25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
|
auf Bestellung 7382 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
|
 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide)
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|