SI4825DDY-T1-GE3

SI4825DDY-T1-GE3

SI4825DDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
VISH_S_A0002474624_1-2568288.pdf
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 108 Stücke
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
21+ 2.55 EUR
23+ 2.28 EUR
100+ 1.78 EUR
500+ 1.47 EUR

Technische Details SI4825DDY-T1-GE3

Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SOIC, Base Part Number: SI4825, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V, Vgs (Max): ±25V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI4825DDY-T1-GE3 ab 1.47 EUR bis 2.55 EUR

SI4825DDY-T1-GE3
Hersteller:

si4825dd.pdf si4825dd.pdf
5000 Stücke
SI4825DDY-T1-GE3
SI4825DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4825DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.9 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
VISH-S-A0002474624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI4825DDY-T1-GE3
SI4825DDY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4825DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 14.9 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 14.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.7
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
VISH-S-A0002474624-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI4825DDY-T1-GE3
SI4825DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-Pin SOIC N T/R
si4825dd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI4825DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-Pin SOIC N T/R
si4825dd.pdf si4825dd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI4825DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-Pin SOIC N T/R
si4825dd.pdf si4825dd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI4825DDY-T1-GE3
SI4825DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SOIC
Base Part Number: SI4825
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550pF @ 15V
Vgs (Max): ±25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
si4825dd.pdf
auf Bestellung 7382 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
SI4825DDY-T1-GE3
SI4825DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
si4825dd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen
SI4825DDY-T1-GE3
SI4825DDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8SO
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 10A, 10V
si4825dd.pdf
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen