Produkte > VISHAY > SI4835DDY-T1-GE3
SI4835DDY-T1-GE3

SI4835DDY-T1-GE3 Vishay


si4835ddy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2261 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
290+0.51 EUR
291+ 0.49 EUR
315+ 0.44 EUR
316+ 0.42 EUR
500+ 0.4 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 290
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details SI4835DDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Weitere Produktangebote SI4835DDY-T1-GE3 nach Preis ab 0.35 EUR bis 2.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 2261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
280+0.55 EUR
290+ 0.5 EUR
291+ 0.48 EUR
315+ 0.42 EUR
316+ 0.4 EUR
500+ 0.38 EUR
1000+ 0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 280
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4835ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.17 EUR
99+ 0.73 EUR
112+ 0.64 EUR
121+ 0.59 EUR
127+ 0.56 EUR
500+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 61
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4835ddy.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -50A
Power dissipation: 3.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 702 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.17 EUR
99+ 0.73 EUR
112+ 0.64 EUR
121+ 0.59 EUR
127+ 0.56 EUR
500+ 0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 61
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2500+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
auf Bestellung 8695 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
10+2.83 EUR
12+ 2.32 EUR
100+ 1.8 EUR
500+ 1.53 EUR
1000+ 1.25 EUR
Mindestbestellmenge: 10
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4835ddy.pdf MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
auf Bestellung 3659 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
19+2.86 EUR
23+ 2.31 EUR
100+ 1.82 EUR
500+ 1.51 EUR
1000+ 1.24 EUR
2500+ 1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 19
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474640-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY VISH-S-A0002474640-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4835DDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.014 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
auf Bestellung 5711 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4835ddy.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
Produkt ist nicht verfügbar