SI4840BDY-T1-E3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.9A; 6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 53+ | 1.36 EUR |
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| 87+ | 0.83 EUR |
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Technische Details SI4840BDY-T1-E3 VISHAY
Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm, SVHC: Lead (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4840BDY-T1-E3 nach Preis ab 0.75 EUR bis 3.85 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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SI4840BDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.9A; 6W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 9.9A Power dissipation: 6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2748 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8 |
auf Bestellung 14576 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
auf Bestellung 40043 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 18673 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 27 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| SI4840BDYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 2100 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4840BDY-T1-E3 Produktcode: 82270 |
Transistoren > MOSFET N-CH |
Produkt ist nicht verfügbar
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SI4840BDY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |