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SI4840BDY-T1-GE3

SI4840BDY-T1-GE3 Vishay


si4840bdy.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4840BDY-T1-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6W, Bauform - Transistor: NSOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm.

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SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4840bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
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SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Semiconductors si4840bdy.pdf MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay Siliconix si4840bdy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 12.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
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10+ 3.14 EUR
100+ 2.44 EUR
500+ 2.07 EUR
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SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 Hersteller : Vishay si4840bdy.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY 2049213.pdf Description: VISHAY - SI4840BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Dauer-Drainstrom Id: 19A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6W
Bauform - Transistor: NSOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0074ohm
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SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4840bdy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 19A; Idm: 50A; 3.8W; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 19A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 3.8W
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 9mΩ
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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SI4840BDY-T1-GE3 SI4840BDY-T1-GE3 Hersteller : VISHAY si4840bdy.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 19A; Idm: 50A; 3.8W; SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 19A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 3.8W
Pulsed drain current: 50A
Case: SO8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 9mΩ
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