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Technische Details SI4864DY-T1-E3 Vishay
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 3.5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Case: SO8, Gate charge: 70nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhanced, Mounting: SMD, Gate-source voltage: ±8V, Pulsed drain current: 60A, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 3.5W, On-state resistance: 4.7mΩ, Drain current: 25A, Drain-source voltage: 20V, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.
Weitere Produktangebote SI4864DY-T1-E3 nach Preis ab 2.42 EUR bis 9.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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SI4864DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 20V 17A 8-Pin SOIC N T/R |
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Si4864DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 20 Volt 25 Amp 3.5W |
auf Bestellung 2466 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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| SI4864DY -T1-E3 |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| SI4864DYT1E3 | Hersteller : VISHAY |
auf Bestellung 28000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| Si4864DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
07+ SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| Si4864DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
SO-8 |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4864DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 20V 17A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| Si4864DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 3.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 60A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.5W On-state resistance: 4.7mΩ Drain current: 25A Drain-source voltage: 20V Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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Si4864DY-T1-E3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 17A 8-SOIC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| Si4864DY-T1-E3 | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 25A; Idm: 60A; 3.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 70nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 60A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.5W On-state resistance: 4.7mΩ Drain current: 25A Drain-source voltage: 20V |
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