SI4894BDY-T1-E3
SI4894BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Informationen zu Lagerverfügbarkeit und Lieferzeiten
auf Bestellung 1559 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
auf Bestellung 1559 Stücke
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Technische Details SI4894BDY-T1-E3
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA.
Preis SI4894BDY-T1-E3 ab 1.52 EUR bis 3.35 EUR
|
SI4894BDYT1E3 Hersteller: |
30000 Stücke |
|
|
 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
SI4894BDY-T1-E3 Hersteller: VISHAY Material: SI4894BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
SI4894BDYT1E3 Hersteller: VISHAY |
30000 Stücke |
|
|
|
SI4894BDY-T1-E3 Hersteller: VISHAY Material: SI4894BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET 30V 12V 1.4W
|
auf Bestellung 2479 Stücke Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
|
|
SI4894BDY-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|
|
|
SI4894BDY-T1-E3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
|
auf Bestellung 4 Stücke Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|
|
Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
|
Produkt ist nicht verfügbar, Sie können Anfrage senden wenn Sie Produkt in den Warenkorb hinzufügen |
|