SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

SI4894BDY-T1-E3

Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

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Technische Details SI4894BDY-T1-E3

Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO, Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA.

Preis SI4894BDY-T1-E3 ab 1.52 EUR bis 3.35 EUR

SI4894BDYT1E3
Hersteller:

30000 Stücke
SI4894BDY-T1-E3
SI4894BDY-T1-E3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
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SI4894BDY-T1-E3
Hersteller: VISHAY
Material: SI4894BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: VISHAY

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Hersteller: VISHAY
Material: SI4894BDY-T1-E3 SMD N channel transistors
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 12V 1.4W
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
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