SI4896DY-T1-GE3

SI4896DY-T1-GE3

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details SI4896DY-T1-GE3

Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC, Vgs (Max): ±20V, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Supplier Device Package: 8-SO, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $).

Preis SI4896DY-T1-GE3 ab 1.52 EUR bis 2.46 EUR

SI4896DY-T1-GE3
SI4896DY-T1-GE3
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - SI4896DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 6.7 A, 0.0135 ohm, NSOIC, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 6.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.56
Bauform - Transistor: NSOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0135
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
VISH-S-A0002472652-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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SI4896DY-T1-GE3
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET 80V Vds 20V Vgs SO-8
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SI4896DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
Vgs (Max): ±20V
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Supplier Device Package: 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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SI4896DY-T1-GE3
SI4896DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Mounting Type: Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
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SI4896DY-T1-GE3
SI4896DY-T1-GE3
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
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