SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

SI4936BDY-T1-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 6.9A 2.8W 35mohm @ 10V
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Technische Details SI4936BDY-T1-GE3

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Base Part Number: SI4936, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2.8W, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V.

Preis SI4936BDY-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR

SI4936BDY-T1-GE3
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 2.8W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Power - Max: 2.8W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Base Part Number: SI4936
Supplier Device Package: 8-SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 2.8W
FET Feature: Logic Level Gate
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Part Status: Active
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
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