SI4936BDY-T1-GE3
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Technische Details SI4936BDY-T1-GE3
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Base Part Number: SI4936, Supplier Device Package: 8-SO, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 2.8W, FET Feature: Logic Level Gate, FET Type: 2 N-Channel (Dual), Part Status: Active, Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V.
Preis SI4936BDY-T1-GE3 ab 0 EUR bis 0 EUR
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SI4936BDY-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R 
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SI4936BDY-T1-GE3 Hersteller: Vishay Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC N T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Type: 2 N-Channel (Dual) Power - Max: 2.8W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V FET Type: 2 N-Channel (Dual) Power - Max: 2.8W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Base Part Number: SI4936 Supplier Device Package: 8-SO Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 2.8W FET Feature: Logic Level Gate FET Type: 2 N-Channel (Dual) Part Status: Active Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 15V
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