SI4946BEY-T1-GE3 VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 3.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details SI4946BEY-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Produktpalette: TrenchFET Series, Bauform - Transistor: SOIC, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, Dauer-Drainstrom Id: 6.5A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 3.7W, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Weitere Produktangebote SI4946BEY-T1-GE3 nach Preis ab 0.69 EUR bis 3.43 EUR
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Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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SI4946BEY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 4.4A; 3.7W; SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 Drain-source voltage: 60V Drain current: 4.4A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 25nC Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 1125 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
auf Bestellung 1455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 12500 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
auf Bestellung 19359 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V |
auf Bestellung 8250 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Produktpalette: TrenchFET Series Bauform - Transistor: SOIC Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W Drain-Source-Spannung Vds: 60V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm Dauer-Drainstrom Id: 6.5A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.033ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 3.7W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-GE3 | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - SI4946BEY-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.033 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 3.7W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 3.7W SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
auf Bestellung 760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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SI4946BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
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SI4946BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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SI4946BEY-T1-GE3 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
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